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J-GLOBAL ID：200903017286840081

半導体装置の加工方法および半導体基板

Inventor： 布 谷 伸 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000068808
Publication number (International publication number)：2001257185
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄い半導体基板の反りを低減するようにしたものである。【解決手段】 各請求項の発明は半導体基板20の1の表面20aaに保護材21を貼り付け、他の表面20を研削し、その後、前記保護材21を剥がすようにしたものにおいて、研削した半導体基板20を平坦化し、この平坦化にした半導体基板20の外周部20aに硬化樹脂11を塗布し硬化し、この塗布し硬化した硬化樹脂11の内面の半導体基板20に半導体素子、電極、配線等を形成するようにしたから半導体基板の反りが少なくなり移送、輸送時等に損傷を生じることがない。

Claim (excerpt)：

半導体基板の1の表面に保護材を貼り付け、他の表面を研削し、その後、前記保護材を剥がすようにしたものにおいて、研削した半導体基板を平坦化し、この平坦化した半導体基板の外周部に硬化樹脂を塗布し硬化し、この塗布し硬化した硬化樹脂の内面の半導体基板に半導体素子、電極、配線等を形成する、ことを特徴とする半導体装置の加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/301

FI (2)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/78 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-036923
  
• 特開昭59-036923