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J-GLOBAL ID：200903017314404578

磁気記憶装置

Inventor： 天 野 実 ,  岸 達 也 ,  與 田 博 明 ,  斉 藤 好 昭 ,  高 橋 茂 樹 ,  上 田 知 正 ,  西 山 勝 哉 ,  浅 尾 吉 昭 ,  岩 田 佳 久
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001400049
Publication number (International publication number)：2003197875
Application date： Dec. 28, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 記憶密度を高めても、記憶セルに用いられる磁気抵抗効果素子の記憶層の記憶保持状態における安定性を向上させ、信頼性の高い磁気記憶装置を得ることを可能にする。【解決手段】 記憶セルはそれぞれ、第1の書き込み配線と対応する第2の書き込み配線が選択されたときに選択されて、第1および第2の書き込み配線にそれぞれ電流を流して生ずる磁場により、書き込むべき情報が記憶される記憶層206を有する磁気抵抗効果素子200と、第1の書き込み配線を取り囲むように設けられ、記録層と磁気閉回路を形成すように両端部が記録層の磁化容易方向に配置された第1の構造部材209と、第2の書き込み配線を取り囲むように設けられ、記録層の磁化困難方向の磁場を強めるように両端部が記録層の磁化困難方向に配置された第2の構造部材212と、を備え、第1の構造部材の両端部は、第2の構造部材の両端部よりも記録層の近くに配置されている。

Claim (excerpt)：

複数の第1の書き込み配線と、これらの第1の書き込み配線と交差する複数の第2の書き込み配線と、前記第1の書き込み配線と前記第2の書き込み配線との交差点毎に設けられた記憶セルとを有する記憶セルアレイを備え、前記記憶セルはそれぞれ、対応する前記第1の書き込み配線と対応する前記第2の書き込み配線が選択されたときに選択されて、前記第1および第2の書き込み配線にそれぞれ電流を流して生ずる磁場により、書き込むべき情報が記憶される記憶層を有する磁気抵抗効果素子と、前記第1の書き込み配線を取り囲むように設けられ、前記記録層と磁気閉回路を形成するように両端部が前記記録層の磁化容易方向に配置された第1の構造部材と、前記第2の書き込み配線を取り囲むように設けられ、前記記録層の磁化困難方向の磁場を強めるように両端部が前記記録層の磁化困難方向に配置された第2の構造部材と、を備え、前記第1の構造部材の前記両端部は、前記第2の構造部材の両端部よりも前記記録層の近くに配置されたことを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA30