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J-GLOBAL ID：200903017316783312

マイクロ波励起プラズマ装置及びシステム

Inventor： 寺嶋 和夫 ,  金 載浩
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 橋爪 健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004290339
Publication number (International publication number)：2006107829
Application date： Oct. 01, 2004
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

【課題】 大気圧(又は、低気圧若しくは高気圧)で低温の非平衡プラズマを安定して、小形の装置で発生させること、また、アレイ化により大規模化すること。【解決手段】 入力部4からマイクロ波を供給し、マイクロストリップ2の基板である誘電体基板1を縦に、すなわち、マイクロ波が伝搬する方向に対して垂直に誘電体基板1を切って、その断面にマイクロストリップ2とアース3の間によるプラズマ発生部5の隙間を形成することにより電界を集中させ、そこにプラズマ、特に、低温の非平衡マイクロプラズマを発生させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

誘電体の基板と、 前記基板の第1の面の一方の端部から他方の端部に渡って設けられたストリップ線路と、 前記基板の第1の面の反対の第2の面の一方の端部から他方の端部に渡って設けられたアース導体と、 前記基板の一方の端部において、前記ストリップ線路と前記アース導体との間にマイクロ波を入力するための入力部と、 前記基板の他の端部の断面において、前記ストリップ線路と前記アース導体との間に形成された隙間に、前記入力部から入力されて伝播したマイクロ波によりプラズマを発生するためのプラズマ発生部と、 を備えたマイクロ波励起ブラズマ装置。

IPC (1)：

H05H 1/24

FI (1)：

H05H1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-300039   Applicant：株式会社日立製作所
• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-119516   Applicant：株式会社日立製作所
• マイクロストリップ共振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-243432   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-032281
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• A low-power 2.45GHz microwave induced helium plasm