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J-GLOBAL ID：200903017323188578
III -V族化合物を用いた発光及び受光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992313650
Publication number (International publication number)：1994163985
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【構成】 エピタキシャル成長法によるIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体接合界面における、p型層側のp型の添加不純物として炭素を、n型層側のn型の添加不純物としてシリコンを用いることを特徴とするIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子【効果】 本発明により、明確な半導体接合面が得られ、この結果設計通りの性能を持つIII -V族化合物半導体の発光素子または受光素子を提供することができ、またドーパントの拡散に起因する素子の劣化が生じにくいIII -V族化合物半導体の発光素子または受光素子を提供することである。
Claim (excerpt)：
エピタキシャル成長法によるIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体接合界面における、p型層側のp型の添加不純物として炭素を、n型層側のn型の添加不純物としてシリコンを用いることを特徴とするIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子
IPC (4)：
H01L 33/00
, H01L 31/04
, H01L 31/10
, H01S 3/18
H01L 31/04 E
, H01L 31/10 A
