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J-GLOBAL ID：200903017326339380
センサ素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000024542
Publication number (International publication number)：2001215190
Application date： Feb. 02, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 安価で入手しやすいシリコンを利用した、捕捉物質が容易に担持できかつ安定した表面を有するセンサ素子、特に表面プラズモン共鳴を利用したセンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 支持体上に金を積層し、その上にシリコンを積層した後、得られた積層体を一旦酸素含有雰囲気に露出させてから、50°Cないし500°Cの温度で加熱に付して、金とシリコンとを含む混合層を形成する工程を含んでなる方法によってセンサ素子を製造する。
Claim (excerpt)：
支持体上に金を積層し、その上にシリコンを積層した後、得られた積層体を加熱処理に付して、金とシリコンとを含む混合層を形成する工程を含むとともに、前記加熱処理中に前記積層体表面には、前記シリコンの酸化物が存在しているセンサ素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01N 21/27 C
, C03C 17/36
2G059AA05
, 2G059BB10
, 2G059BB16
, 2G059DD01
, 2G059DD16
, 2G059EE02
, 2G059HH02
, 4G059DA02
, 4G059DB08
, 4G059GA01
, 4G059GA02
