3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004175238
Publication number (International publication number)：2004260219
Application date： Jun. 14, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】高輝度の青色から緑色の発光を得ると共に3族窒化物半導体だけで、各種の色の発光を得るようにすること。【解決手段】発光ダイオード500はサファイア基板1、バッファ層2、高キャリア濃度n+ 層3、SiドープのAl0.3Ga0.7N から成るn層4、発光層5、MgドープのAl0.3Ga0.7N から成るp層61、MgドープのGaN から成るコンタクト層62、Niから成る電極7、電極8で構成されている。発光層5は、膜厚約100 ÅのAl0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51と膜厚約100 ÅのAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。このような紫外線を発光する発光層5と、発光層5の放射する紫外線を受光して、電極7の上に可視光に変換する蛍光体層208とを設けた。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、紫外線を発光するAlGaN から成る層を有する発光層と、前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、可視光に変換する蛍光体層とを設けたことを特徴とする発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L33/00 N

F-Term (12)：

5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041DA07 , 5F041DA18 , 5F041DA43 , 5F041DB01 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-336011 Applicant：日亜化学工業株式会社
量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314770 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-068595 Applicant：都築省吾

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