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J-GLOBAL ID:200903017347873042

サージ吸収素子の電極形成方法、サージ吸収素子取付方法及び回転子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995139937
Publication number (International publication number):1996317609
Application date: May. 15, 1995
Publication date: Nov. 29, 1996
Summary:
【要約】【目的】 整流子部分へのバリスタの取付けにおいて、両者の位置合わせの負担を軽減することにより取付けを容易にし、その取付自動化を可能とすること。【構成】 整流子片14aとの接続に用いるリング電極30をバリスタ16の外周面16a上に全周にわたって被覆形成する。つぎに、このバリスタ16をライザ18に当接させた状態で、バリスタ16のリング電極30と各ライザ18とを半田付け接続する。最後に、リング電極30を各ライザ18の間で切断し、個別電極32aを形成する。
Claim (excerpt):
リング状のサージ吸収素子のリングに沿って、接続用リング電極を被覆形成する電極被覆工程と、前記サージ吸収素子のリング電極を切断分離し、各整流子片から延設された各接続電極片に対応した複数の個別電極を形成する電極分離工程と、を含むことを特徴とする回転子用サージ吸収素子の電極形成方法。
IPC (4):
H02K 13/04 ,  H01R 39/54 ,  H02K 13/00 ,  H02K 13/14
FI (4):
H02K 13/04 ,  H01R 39/54 ,  H02K 13/00 X ,  H02K 13/14

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