薄膜トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005255736
Publication number (International publication number)：2007073562
Application date： Sep. 02, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】トップゲート構造を有し、酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、プラズマ化学気相成長(PCVD)法にて成膜可能な窒化珪素膜をゲート絶縁膜に用いつつ、該ゲート絶縁膜を二層構造として、各の絶縁膜の窒素濃度及び水素濃度を調整することによって、酸化亜鉛(ZnO)半導体薄膜を還元から保護し、リーク電流の発生が抑止された、電流駆動能力の高い薄膜トランジスタの提供。【解決手段】酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜層と、窒化珪素(SiNx)からなるゲート絶縁膜を有するトップゲート型薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜は前記半導体薄膜層の少なくとも上表面を被覆する第一ゲート絶縁膜と、該第一ゲート絶縁膜及び半導体薄膜の側面を少なくとも被覆する第二ゲート絶縁膜とからなり、前記第一ゲート絶縁膜と前記第二ゲート絶縁膜は、組成が異なる窒化珪素(SiNx)からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜層と、窒化珪素(SiNx)からなるゲート絶縁膜を有するトップゲート型薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜は前記半導体薄膜層の少なくとも上表面を被覆する第一ゲート絶縁膜と、該第一ゲート絶縁膜及び半導体薄膜の側面を少なくとも被覆する第二ゲート絶縁膜とからなり、前記第一ゲート絶縁膜と前記第二ゲート絶縁膜は、組成が異なる窒化珪素(SiNx)からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T

F-Term (34)：

5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE04 , 5F110FF03 , 5F110FF06 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL04 , 5F110HM02 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-079273 Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-146907 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-274333 Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社

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