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J-GLOBAL ID：200903017365469410

高分子固定化パラジウム触媒及びその製法

Inventor： 小林 修 ,  杉浦 正晴
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  独立行政法人科学技術振興機構
Agent (3)： 下田 昭 ,  赤尾 謙一郎 ,  小山 尚人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005247062
Publication number (International publication number)：2007061669
Application date： Aug. 29, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【課題】 原料として安価なパラジウム(II)化合物を用い、芳香族高分子に0価のナノサイズパラジウムクラスターが安定に担持された、高分子固定化パラジウム触媒を提供する。 【解決手段】 芳香族側鎖を有する高分子を含む溶液中で、2価のパラジウム塩及びアルカリ金属塩を加熱処理することにより、パラジウムが還元され、芳香族高分子にナノサイズパラジウムクラスターを担持することができる。本発明は、芳香族側鎖及び架橋基を有する架橋性高分子、2価のパラジウム塩及びアルカリ金属塩を、当該架橋性高分子を溶解する溶媒中で溶解または分散させ、これを60〜200°Cで加熱し、冷却後当該架橋性高分子に対する貧溶媒を加えることにより生じた組成物を析出させ、当該析出物中の架橋基を架橋反応させることから成る高分子固定化パラジウム触媒の製法である。この触媒はHeck反応や鈴木-宮浦カップリング反応おける触媒として有用である。 【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

芳香族側鎖及び架橋基を有する架橋性高分子、2価のパラジウム塩及びアルカリ金属塩を、当該架橋性高分子を溶解する溶媒中で溶解または分散させ、これを60〜200°Cに加熱し、冷却後当該架橋性高分子に対する貧溶媒を加えることにより析出物を生じさせ、当該析出物中の架橋基を架橋反応させることから成る高分子固定化パラジウム触媒の製法。

IPC (5)：

B01J 31/06 ,  B01J 37/02 ,  B01J 37/16 ,  C07D 213/127 ,  C07D 213/16

FI (5)：

B01J31/06 Z ,  B01J37/02 101C ,  B01J37/16 ,  C07D213/127 ,  C07D213/16

F-Term (58)：

4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA05 ,  4C055DA08 ,  4C055FA01 ,  4C055FA03 ,  4C055FA31 ,  4C055FA37 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA21C ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA22C ,  4G169BB02B ,  4G169BB08C ,  4G169BB12C ,  4G169BC01A ,  4G169BC02A ,  4G169BC02B ,  4G169BC02C ,  4G169BC03A ,  4G169BC03B ,  4G169BC03C ,  4G169BC04A ,  4G169BC04B ,  4G169BC04C ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BC72C ,  4G169BD12C ,  4G169BE08A ,  4G169BE08C ,  4G169BE13A ,  4G169BE21A ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4G169BE37C ,  4G169CB25 ,  4G169CB59 ,  4G169CB62 ,  4G169CB63 ,  4G169CB66 ,  4G169EC27 ,  4G169FA02 ,  4G169FB04 ,  4G169FB29 ,  4G169FB43 ,  4G169FB80 ,  4G169FC02 ,  4H039CA41 ,  4H039CA61 ,  4H039CA62 ,  4H039CA66 ,  4H039CD10 ,  4H039CD20 ,  4H039CD90

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• マイクロカプセル化ルイス酸
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP1999000626   Applicant：科学技術振興事業団
• 金属化合物組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-181695   Applicant：和光純薬工業株式会社, 小林修
• マイクロカプセル化金属触媒
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-059742   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (2)

• パラジウム触媒組成物を用いた炭素-炭素カップリング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-295150   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 金属微粒子担持複合材料の製造方法およびその方法で得られた金属微粒子担持複合材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-128635   Applicant：宇部日東化成株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Ligand-free Heck reactions using low Pd-loading