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J-GLOBAL ID：200903017406477318

電子放出素子及びその製造方法

Inventor： 小野 富男 ,  酒井 忠司 ,  佐久間 尚志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996242086
Publication number (International publication number)：1998092296
Application date： Sep. 12, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 エミッタとゲートとの間の距離を基板内で均一にかつ短くすることができ、電子放出の均一化及び動作電圧の低電圧化をはかる。【解決手段】 電界放出型のエミッタを有する電子放出素子において、先端部が尖鋭な凸形状のダイアモンドエミッタ14と、このエミッタ14の周囲に該エミッタ14と接して設けられ、かつ該エミッタ14の先端部が露出するように設けられたp型Si層102と、エミッタ14の周囲に該エミッタ14と離間しp型Si層102と接して設けられ、かつエミッタ14の先端部が露出するように設けられたn型Si層101とを備える。

Claim (excerpt)：

先端部が尖鋭な凸形状のエミッタと、このエミッタの周囲に該エミッタと接して設けられ、かつ該エミッタの先端部が露出するように設けられたp型半導体層と、前記エミッタの周囲に該エミッタと離間し前記p型半導体層と接して設けられ、かつ前記エミッタの先端部が露出するように設けられたn型半導体層とを具備してなることを特徴とする電子放出素子。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B ,  H01L 21/306 B