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J-GLOBAL ID:200903017409007622

エネルギーセンサーフィードバックによるレーザー照射式ステッパー若しくはスキャナー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998226136
Publication number (International publication number):1999154642
Application date: Aug. 10, 1998
Publication date: Jun. 08, 1999
Summary:
【要約】【課題】 レーザー作動を中断せずにパラメーターを直接測定し、レーザーエネルギーを常に最適制御する。【解決手段】 マスク付近とレーザーの出力装置付近に光度検知器を持つレーザー照射式ウエハ露光システムにおいて、複数の検知器の信号でレーザー出力を帰還制御する。レーザー放電圧を制御するアルゴリズムをシステムのプロセッサーに用い、マスク上で所望の光度を持つ光パルスをバーストモードで作動させる。過去に測定したパルスエネルギー、エネルギーエラーと線量エラーの各計算値、電圧によるパルスエネルギーの変化率、複数の基準電圧が最低限のパラメーターとなる。実施例はマスク近くの光度検知器が測定したパルスエネルギーで帰還制御し、レーザーの出力部分に位置した光度検知器でレーザー出力の所定範囲内の維持を保証する。
Claim (excerpt):
レーザー光パルスP1 、P2 、....PN-1 、PN を生成するパルスパワーシステムを有するレーザーであって、前記パルスパワーシステムが充電圧を定める高電圧充電システムを有する、そうしたレーザーと、前記レーザーにより生成された光パルスを受けるウエハ露光システムであって、前記露光システムが前記レーザーとマスクの間に光学要素を提供し、前記光学要素が、前記レーザーから発せられた前記光パルスを前記マスクに当たる前に減衰させる、そのようなウエハ露光システムと、出ていくレーザー光パルスの少なくとも一部を前記光学要素の少なくとも1つの個所でしかも前記光パルスが前記マスクに当たる以前に受けるように前記露光システム内に置かれた第1光度検知器と、前記レーザーからのレーザー光パルス出力の少なくとも一部を受けるように、前記レーザーのすぐ近くに置かれた第2光度検知器と、前記第1光度検知器と前記第2光度検知器の少なくとも1つの出力装置であって、レーザー光に対し半導体ウエハを露光制御するのに使われる出力装置と、充電圧を定める高電圧充電システムを持つパルスパワーシステムを有した前記レーザーからの現在のバーストパルスP1 、P2 、..PN-1 、PN を定めるパルスの線量における積分されたエネルギー線量とパルスエネルギーとを制御するためのアルゴリズムでプログラムされたプロセッサーとから成り、前記アルゴリズムは、(A)前記のパルスバーストでの各パルスのエネルギーを測定する段階と、(B)充電圧に対するパルスエネルギーの変化率、dE/dVを決める段階と、(C)前記パルスバーストでの1つ以上の複数パルス群中の各パルスPN のパルスエネルギーを、或るアルゴリズムでプログラムされたコンピュータープロセッサーを利用して、レーザーの充電圧を調整することで制御する段階とから成り、前記或るアルゴリズムは、(1)各PN に対し、パルスエネルギーエラーE を前記バースト中での少なくとも1つ以前のパルスの測定エネルギーと所定の目標パルスエネルギー値に基づいて決定し、(2)各PN+1 に対し、前記バースト中で先行した全パルスP1 からPNによって積分された線量エラーDを決定し、(3)i)前記dE/dV、ii)前記E、iii)前記D、iV)少なくとも1つの基準電圧を使用して、前記の第1複数パルスの中の前記パルスPN+1 の各々に対し、充電圧VN+1 を決定することを特徴とする半導体ウエハ製造システム。
IPC (4):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/22 ,  H01S 3/104
FI (5):
H01L 21/30 516 D ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/22 H ,  H01S 3/104 ,  H01L 21/30 518

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