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J-GLOBAL ID：200903017414722313
バンプの形成法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056989
Publication number (International publication number)：1994267964
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 安定したバンプ高さがえられるバンプの形成法を提供すると共に、前記形成法によってバンプを形成し、バンプの高さのバラつきに起因するオープン不良やショート不良を防止する電子部品の実装法を提供する。【構成】 基板1上の電極パッド2における絶縁膜3の開口部4をマスク5の孔6より小さく形成し、ついで該開口部4に対応させて該マスク5を前記基板1上に配設し、スクリーン印刷を行い、焼成することによりハンダなどからなるバンプ8を形成する。
Claim (excerpt)：
電極パッド上に設けられた絶縁膜の開口部に対応する孔を有するマスクを前記基板上に位置合わせして配設し、該マスク上からバンプ材料を供給したのち焼成することによりバンプを形成するバンプの形成法であって、前記絶縁膜の開口部を前記マスクの孔より小さく形成することを特徴とするバンプの形成法。
IPC (3)：
H01L 21/321
, H01R 4/02
, H05K 3/34
