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J-GLOBAL ID：200903017423236782
電力MOSFETの安全動作領域電流制限装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216297
Publication number (International publication number)：1994169567
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 開閉方式電源変圧器の一次巻線の電流を開閉制御するための集積回路であって、電流を検知するための抵抗を必要とせず、チップ面積が少なく、製造プロセスの変動があっても最大可能電流で動作できるチップを提供することを目的とする【構成】 入力交流電圧を整流する全波整流ブリッジと一次巻線と二次巻線とを有する変圧器とを含むスイッチング電源において使用できる開閉方式(スイッチモード)電源チップであって、ドリフト領域に低電圧タップを持つ高電圧電力MOSFET集積回路を含み、該MOSFETは、変圧器の一次巻線の電力開閉を制御する。初期の電力上昇中は高電圧であるが、MOSFETのJFET部分で降下して低電圧信号を出し、MOSFETを流れる電流によりタップでの電圧降下が所定の最大値を超えると、前記MOSFETを遮断する。
Claim (excerpt)：
第2トランジスタのドレンに与える電圧を制限するための第1トランジスタを備える、開閉方式(switched mode) 電源変圧器の一次巻線電流を開閉する電力開閉手段と、前記第1および第2トランジスタが導通のときに、前記第1および第2トランジスタを通る電流に比例する検知電圧を出力する、前記第2トランジスタの前記ドレンに接続する低電圧タップと、前記検知電圧が所定の最大値を超えると前記電力開閉手段を非導通にして、前記電力開閉手段をその安全動作領域で動作させるための比較器手段と、を備える開閉方式電源チップ。
IPC (2)：
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