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J-GLOBAL ID：200903017424688482

集積回路の配線形成方法および集積回路の配線構造

Inventor： 久保田 邦親 ,  平木 明敏
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992162581
Publication number (International publication number)：1994005604
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ストレスマイグレーションなどによる集積配線の断線を防ぐことのできる集積回路の配線形成方法および配線構造を提供する。【構成】 本発明は、実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比N/Tiが0.2ないし0.9のターゲットを窒素を含むスパッタリングガスを用いてスパッタリングを行い、前記ターゲットの窒素とチタンの原子比よりも窒素の比が多く、かつ実質的にNaCl型の結晶構造を有する窒化チタン薄膜でなるバリアメタル層を形成し、該バリアメタル層の上にアルミニウムを主成分とする配線層を形成することを特徴とする集積回路配線の形成方法である。好ましくは、バリアメタル層は、(200)結晶面と(111)結晶面のX線回折強度の比(200)/(111)が0.15以下、配線層は、X線回折分析によるアルミニウムの(111)結晶面のピークの半値幅が2.5度以下とする。

Claim (excerpt)：

実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比N/Tiが0.2ないし0.9のターゲットを窒素を含むスパッタリングガスを用いてスパッタリングを行い、前記ターゲットの窒素とチタンの原子比よりも窒素の比が多く、かつ実質的にNaCl型の結晶構造を有する窒化チタン薄膜でなるバリアメタル層を形成し、該バリアメタル層の上にアルミニウムを主成分とする配線層を形成することを特徴とする集積回路配線の形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-256313
  
• 特開昭60-005560
  
• 特開昭63-259075