薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996334406
Publication number (International publication number)：1997172186
Application date： Nov. 30, 1989
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】アモルファス・シリコン層にレーザを照射してポリ・シリコン層とするものにおいて、ソース領域およびドレイン領域をポリ・シリコン層として抵抗値を低減することができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】透明な基板11上に、透明なゲート電極12を形成し、その上にゲート絶縁膜13、i型半導体層14、n型半導体層15、ソース,ドレイン電極用金属膜16を堆積してそれぞれをパターニングし、その状態で基板11の下面側からレーザLを照射する。こうすると、レーザLがi型半導体層14の下面に照射されるから、ソース領域およびドレイン領域のアモルファス・シリコン層14aをポリ・シリコン層14bとすることができる。

Claim (excerpt)：

透明な基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタを形成する方法において、前記基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうちの少なくとも1つの電極を形成し、その上に半導体層を形成したうえ、前記基板の下面側から前記半導体層にレーザを照射し、この半導体層のソース領域およびドレイン領域を結晶化したポリ・シリコン層とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 618 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-171776
特開昭63-314862
特開昭60-109282

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