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J-GLOBAL ID：200903017425139571

シリコン-ゲルマニウム系材料の接合方法および熱電変換モジュールの製造方法ならびに熱電変換モジュール

Inventor： 三 好 実 人 ,  今 西 雄一郎 ,  櫛 引 圭 子 ,  篠 原 和 彦 ,  小 林 正 和 ,  古 谷 健 司
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
Agent (1)： 小塩 豊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997216780
Publication number (International publication number)：1999068172
Application date： Aug. 11, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高温端接合部の耐熱性,耐熱衝撃性に優れ、熱電変換効率が良い温度範囲で使用でき、接合部での発電損失が少ない熱電変換モジュールを製造する。【解決手段】 p型熱電半導体3と電極6,7とn型熱電半導体2が電気的に接合された接合部をもつ熱電変換モジュール1を製造するに際して、シリコン-ゲルマニウムが主成分であるp型熱電半導体3およびn型熱電半導体2と電極6,7の接合に、Agからなる接合材4,5あるいはAg含有量が85重量%以上で残部がMn,Cr,V,Tiのうちから選ばれる1種類以上の元素からなる接合材4,5を使用して接合部を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン-ゲルマニウム系材料の同種接合あるいはシリコン-ゲルマニウム系材料と金属材料の異種接合に際して、Ag含有率が85重量%以上の接合材を使用することを特徴とするシリコン-ゲルマニウム系材料の接合方法。

IPC (2)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/32

FI (2)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/32 A