薄膜インダクタおよび薄膜トランス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993207598
Publication number (International publication number)：1995066050
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜インダクタおよび薄膜トランスにおいて、磁性体部の磁気飽和を抑制し、磁性体部の損失ならびにコイル抵抗による損失を低減する。【構成】スパイラル状の平面コイル4を絶縁膜2を介して挟んでいる磁性膜3,6うち一方の第2の磁性膜6の形状を概ね長方形形状とし、第1の磁性膜3と第2の磁性膜6とを、平面コイル4の内周の内側全体にわたって、および外周の外側2箇所で接続し、閉磁路構造とする。このような構造により、第1の磁性膜3と第2の磁性膜6の接続部分の磁性膜の断面積が外周の外側の接続部と内周の内側の接続部で概ね同一にし、内周部の磁性膜における磁気飽和を緩和させる。この磁気飽和の緩和によって、磁性体の損失並びに漏れ磁束によるコイル抵抗の増加を低減させる。また、外周部の磁性体を有効に活用することを可能にして励磁条件を高く設定可能とし、薄膜インダクタ等の高周波特性を向上させる。

Claim (excerpt)：

第1の磁性膜上に一つ以上のスパイラル状の平面コイルが絶縁膜を介して形成され、前記スパイラル状の平面コイルの上に絶縁膜を介して第2の磁性膜が形成され、前記第1の磁性膜と第2の磁性膜とが前記スパイラル状の平面コイルの内周の内側および外周の外側で接続されている薄膜インダクタにおいて、前記第1の磁性膜と第2の磁性膜が接続されている部分の磁性膜の断面積が外周の外側の接続部と内周の内側の接続部で概ね同一であることを特徴とする薄膜インダクタ。

IPC (2)：

H01F 27/28 , H01F 17/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-012907
トランス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-279673 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-363006

Show all

Return to Previous Page