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J-GLOBAL ID：200903017430271992
多孔質シリコン層の加工方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239140
Publication number (International publication number)：1994089891
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】本発明は、単結晶シリコンウェーハ表面に形成された多孔質シリコン層の加工方法に関し、一旦形成した多孔質シリコン層の発光波長を変更させることができるように多孔質シリコン層を加工し、またはシリコンウェーハ表面の複数の領域に異なる発光波長を有することができるように多孔質シリコン層を加工する多孔質シリコン層の加工方法を提供することを目的とする。【構成】単結晶シリコンウェーハ表面に形成された多孔質シリコン層を酸化液に浸漬して酸化し、酸化された多孔質シリコン層を還元液に浸漬して還元し、多孔質シリコン層表面の単結晶シリコン層を徐々にエッチングするように構成する。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコンウェーハ表面に形成された多孔質シリコン層を酸化液に浸漬して酸化し、酸化された前記多孔質シリコン層を還元液に浸漬して還元し、前記多孔質シリコン層表面の単結晶シリコン層を徐々にエッチングすることを特徴とする多孔質シリコン層の加工方法。
IPC (2)：
H01L 21/306
, H01L 21/308
