Pat

J-GLOBAL ID：200903017443244293

有機半導性薄膜及びその製造方法

Inventor： 高橋 昇 ,  ドック ヘンリク ,  阿多 誠文 ,  松澤 伸行
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216773
Publication number (International publication number)：1994268200
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 導電率が高く、透明性に優れ、機械的強度の高い有機半導性薄膜及びその製造方法を提供する。【構成】 Cn (ただし、nは60,70,76,84等の幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表される球状炭素類(いわゆるフラーレン)のプラズマ重合膜からなる有機半導性薄膜が開示される。この有機半導性薄膜は(Cn+j )m (jは-10〜10の整数、mは正の整数である。)なる分子式で表され、シクロヘキサトリエニル部位同志が1,2-サイクル付加結合によりシクロブタン環を介して重合したCn 重合構造を部分的に有し、この構造がアモルファス状に分布した膜構造を有する。前記有機半導性薄膜は、フラーレンを昇華源としてプラズマ重合を行うことにより成膜される。

Claim (excerpt)：

Cn (ただし、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表される球状炭素類のプラズマ重合体よりなり、(Cn+j )m (nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数であり、jは-10〜10の整数、mは正の整数である。)なる分子式で表されることを特徴とする有機半導性薄膜。

IPC (2)：

H01L 29/28 ,  C01B 31/00