透明導電膜の形成方法及び透明電極

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：東田潔 , 山下雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003418897
Publication number (International publication number)：2005183054
Application date： Dec. 17, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】低温焼成で、低抵抗かつ高透過率を有する透明導電膜の形成方法及び透明電極の提供。【解決手段】インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛から選ばれた金属の微粒子、これらの金属の2種以上の金属からなる合金の微粒子、又はこれら微粒子の混合物を含有する分散液を基材に塗布後、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成する。この酸化性雰囲気中での焼成後、さらに還元性雰囲気で焼成してもよい。不活性ガス雰囲気が、希ガス、二酸化炭素及び窒素から選ばれたガスの雰囲気であり、還元性雰囲気が、水素、一酸化炭素及び低級アルコールから選ばれたガスの雰囲気である。上記方法により形成された透明導電膜からなる透明電極。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛から選ばれた少なくとも1種の金属の微粒子、これらの金属から選ばれた2種以上の金属からなる合金の少なくとも1種の微粒子、又はこれらの微粒子の混合物を含有する分散液を基材に塗布後、金属や合金が酸化しない雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成して、透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (4)：

H01B13/00 , B05D3/02 , B05D5/12 , G02F1/1343

FI (4)：

H01B13/00 503B , B05D3/02 Z , B05D5/12 B , G02F1/1343

F-Term (31)：

2H092HA03 , 2H092MA10 , 2H092MA25 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 4D075BB28Z , 4D075BB56Z , 4D075BB68Z , 4D075BB69Z , 4D075CA22 , 4D075CB06 , 4D075DA04 , 4D075DA06 , 4D075DB13 , 4D075DB33 , 4D075DB37 , 4D075DB39 , 4D075DB43 , 4D075DB46 , 4D075DB47 , 4D075DB48 , 4D075DB63 , 4D075DC19 , 4D075DC21 , 4D075DC24 , 4D075EA10 , 4D075EC10 , 5G323BA01 , 5G323BB02 , 5G323BC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

透明導電膜形成用組成物および透明導電膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-034751 Applicant：三菱マテリアル株式会社
透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-049634 Applicant：富士写真フイルム株式会社
透明導電性基材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-362971 Applicant：株式会社荏原製作所

Cited by examiner (2)

透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-049634 Applicant：富士写真フイルム株式会社
特開平2-234309

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