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J-GLOBAL ID：200903017487374410
半導体装置用パッケージ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996164378
Publication number (International publication number)：1998012768
Application date： Jun. 25, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高い放熱性能と信頼性、及び、安定したプロセス工程で製造できる半導体装置用パッケージを提供する。【解決手段】 金属板上に絶縁体、更にその上に銅箔を設けた3層構造の金属基板を用い、金属基板の金属板を、電気的に相互に絶縁されたヒートスプレッダー兼GND.プレーン10と、複数の孤立したランドパターン13に形成する。また、銅箔を銅箔配線4とアイランドパターン15に形成する。銅箔配線4とアイランドパターン15は、それぞれ、ビアホール3によりランドパターン13と、放熱ビア14でヒートスプレッダー兼GND.プレーン10と導通する。アイランドパターン15を接地電位にすると、ヒートスプレッダー兼GND.プレーン10は同電位の接地電位になる。同時にLSI7の裏面に発生する熱を効率的に外部に逃がすヒートスプレッダーの役目も果たす。
Claim (excerpt)：
銅又はアルミニウムを主成分とする、所定のパターンを有する金属板と、該金属板上に形成された絶縁体から成る絶縁層と、該絶縁層上に形成された配線パターンを含む所定のパターン形状を有する金属箔から成る積層構造体として構成され、前記金属板は電気的に相互に絶縁されたヒートスプレッダー兼GND.プレーン、及び複数の孤立したランドパターンを有し、前記金属箔は金属箔配線、及び、半導体チップ搭載部となるアイランドパターンに形成され、前記金属板より形成される所定のパターンと、前記金属箔より形成される所定の金属箔配線、及び、アイランドパターンは、前記絶縁層を所定位置で貫通し、金属メッキで埋め込まれたビアホールを介して導通する構造を有し、前記金属箔の表面に対し、金属メッキにより成るメッキ層が設けられ、前記アイランドパターン、及び前記金属箔配線の一部を除いて、絶縁体により覆い、前記ヒートスプレッダー兼GND.プレーンの表面上に絶縁体層を設けることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/14 M
, H01L 23/12 L
