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J-GLOBAL ID:200903017498240572

半導体容量型多軸加速度センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松井 伸一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998063911
Publication number (International publication number):1999248738
Application date: Mar. 02, 1998
Publication date: Sep. 17, 1999
Summary:
【要約】【課題】 高精度な加速度測定を行うことができる半導体容量型多軸加速度センサを提供すること【解決手段】 第1固定基板11,半導体基板12,重り基板13,第2固定基板14が順次積層され、接合されている。半導体基板に梁部16を介して支持されている可動電極15が形成されており、係る可動電極の周辺から中央位置(肉厚部15a)に向けて切欠部20が形成され、その切欠部内に梁部が挿入され、その先端16aは切欠部の奥部(肉厚部)に接続される。よって、加速度がかかって梁部が撓んで変位すると、その変位が可動電極で拡大され、可動電極の外周縁における変位量は、上記梁部の変位量よりも大きくなる。よって可動電極と固定電極17間の静電容量の変化量が増加し、高感度・高精度の測定が行える。
Claim (excerpt):
固定基板に設けられた複数の固定電極に所定の間隔をおいて対向するように可動電極を配置し、その可動電極が加速度を受けて傾斜するように変位して前記複数の各固定電極との間に発生する静電容量が変化することを利用して複数方向の加速度を検知する半導体容量型多軸加速度センサであって、前記可動電極を移動可能に支持するための梁部の先端を、前記可動電極の外周囲よりも内側の所定位置に接続したことを特徴とする半導体容量型加速度センサ。
IPC (3):
G01P 15/125 ,  G01L 5/16 ,  H01L 29/84
FI (3):
G01P 15/125 ,  G01L 5/16 ,  H01L 29/84 Z

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