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J-GLOBAL ID：200903017516514847

ダイを製造する方法及びシステム

Inventor： クォ-チン・リュウ ,  ペイ・シェン・ファン ,  ダン・ディア ,  ジェン・リュウ ,  ジー-チュアン・フアン ,  アントニオ・ルチェロ ,  スコット・ピンカム ,  スティーヴン・オルトロジェ ,  ドゥエイン・ミドルブッシャー
Applicant, Patent owner： ニュー・ウェーブ・リサーチ
Agent (2)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340354
Publication number (International publication number)：2004009139
Application date： Nov. 25, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】ダイの製造において、より高い密度を可能にし、かつより高い歩留まりを達成する、サファイア基板のスクライビングのためのシステムおよび方法を提供する。【解決手段】固体レーザ10を使用してサファイア基板14の表面にレーザエネルギのパルスであって、560ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けて、スクライブ線を形成し、その後、分離する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

サファイア基板からダイを製造する方法であって、 前記サファイア基板をステージ上に装着するステップと、 固体レーザを使用して前記サファイア基板の表面にレーザエネルギのパルスであって、560ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けるステップと、 前記パルスを前記サファイア基板にスクライブパターンで衝突させて前記サファイア基板にスクライブ線を形成するステップと を含む方法。

IPC (3)：

B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  H01S3/00

FI (4)：

B23K26/00 H ,  B23K26/00 D ,  B23K26/08 D ,  H01S3/00 B

F-Term (19)：

4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA14 ,  4E068CE04 ,  4E068DA10 ,  5F072AB02 ,  5F072AB20 ,  5F072HH05 ,  5F072HH07 ,  5F072KK12 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR03 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

• レ-ザ-を用いる透明媒質の加工装置及び加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-215112   Applicant：エルジー電子株式会社
• 非金属材料基板の加工方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-352009   Applicant：日立電線株式会社
• レーザ加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-347837   Applicant：日本電気株式会社
• 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-220320   Applicant：日本碍子株式会社
• レ-ザ切断装置および切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-008573   Applicant：三星電子株式会社
• レーザ加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-092255   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• エキシマレーザ加工方法及び加工された基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-096143   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイシング装置及び半導体チップの加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-218333   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-128155   Applicant：日亜化学工業株式会社
• レ-ザ共振器光学系
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-107471   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭53-025996
  
• 特開昭64-075191
  
• 特開昭61-262479
  
• 光起電力装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-213130   Applicant：三菱重工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 素材加工に高出力UVレーザが有効 熱ひずみなく高精度でかつ高効率