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J-GLOBAL ID：200903017543098790

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

Inventor： 神田 英一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992214978
Publication number (International publication number)：1994060335
Application date： Aug. 12, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子の放熱を効果的に行うことである。【構成】磁気抵抗効果素子1の一部1bが、ヘッド浮上面1cと反対の面の引き出し導体2a,2b間に絶縁されて配置され、また、その一部1bに高熱伝導率の物質3が接合され、また、その一部1bにペルチェ効果が大である異種の金属膜または半導体膜4,4′の接合部4aが連接され、また、この異種の金属膜または半導体膜4,4′への電流の供給を、磁気抵抗効果素子1へセンス電流を供給する引き出し導体2a,2bと共有するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果素子(1)の一部(1b)が、ヘッド浮上面(1c)と反対の面の引き出し導体(2a,2b)間に絶縁されて配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。