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J-GLOBAL ID：200903017557587662

強誘電性を持つ構造体

Inventor： 齋藤 秀俊 ,  植田 致知 ,  木下 秀雄
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社 ,  齋藤 秀俊
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999076752
Publication number (International publication number)：2000277704
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】単位面積当たりのメモリ容量が著しく大きな強誘電体メモリを得る。【解決手段】特殊な構造の絶縁性部材1を、多数の強誘電体コンデンサの絶縁層部分の集合体として設ける。絶縁性部材1は、強誘電性の金属酸化物からなる多数の針状体42と、絶縁性材料6とからなる。多数の針状体42は並列に配置されていて、その隙間に絶縁性材料6が埋められている。針状体42を、一本毎または複数本毎に、一つの強誘電体コンデンサの絶縁層部分とする。

Claim (excerpt)：

強誘電性の金属酸化物からなる多数の針状体が隙間を開けて並列に配置されている構造の強誘電体を有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (11)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/62 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 391 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/62 F ,  H01G 4/12 391 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01G 4/06 101 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

F-Term (78)：

4G077AA04 ,  4G077BC42 ,  4G077BC43 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077HA11 ,  5E001AB06 ,  5E001AC09 ,  5E001AD00 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH00 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ02 ,  5E001AZ00 ,  5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF14 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG39 ,  5E082FG41 ,  5E082FG46 ,  5E082GG04 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AG26 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F045AB39 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD09 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045EB02 ,  5F045EC09 ,  5F045EE07 ,  5F045EE10 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F058BA11 ,  5F058BB01 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF03 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA39 ,  5F083PR25