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J-GLOBAL ID：200903017562571120

表面に電界が生成される半導体装置

Inventor： ウイリアム・アメリカ
Applicant, Patent owner： ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062581
Publication number (International publication number)：1993102452
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、装置の表面に配置された注入イオンによって発達された電界を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体材料の本体18と、本体の表面付近で最大濃度を有し電界が表面近くに生成される注入されたドーパントイオンの領域20とを具備していることを特徴とする。このような構造はドーパントイオンの注入後表面領域をエッチングで除去することによって得られる。

Claim (excerpt)：

半導体材料の本体と、本体の表面付近で最大濃度を有し、それによって電界が前記表面近くに生成される注入されたドーパントイオンの領域とを具備している半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  G01J 1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭51-047035
  
• 特開昭62-195180