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J-GLOBAL ID：200903017563260349

磁性多層膜および磁気抵抗効果素子ならびにそれらの製造方法

Inventor： 荒木 悟 ,  宮内 大助 ,  成宮 義和
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203562
Publication number (International publication number)：1994122963
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【構成】 非磁性薄膜を介して2層以上の磁性薄膜を積層して磁性多層膜を形成する。隣合う磁性薄膜の保磁力は互いに異なっており、保磁力の小さい第1の磁性薄膜の角形比およびHkを規制し、さらに保磁力の大きな第2の磁性薄膜と非磁性薄膜とを含めて各薄膜の膜厚を規制して第1〜第3の発明を構成する。【効果】 第1の発明の磁性多層膜は、数Oe〜数十Oeの外部磁場で大きなMR変化率を示し、0磁場で良好なMR変化立ち上がり特性と高い耐熱性とをもつ。第2の発明ではさらに-10〜10Oeの外部磁場でヒステリシス特性とMR傾きが改善され、第3の発明ではこれらに加えて-50〜50Oeの外部磁場での大きなMR傾きと、すぐれたヒステリシス特性と、高周波磁界での大きなMR傾きとをもつ。従って、高感度の磁気抵抗効果型センサや高密度磁気記録可能な磁気ヘッドが実現する。

Claim (excerpt)：

非磁性薄膜を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜を有し、この非磁性薄膜を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっており、保磁力の小さい第1の磁性薄膜の角型比SQ1 が0.01〜0.5であり、保磁力の大きい第2の磁性薄膜の角型比SQ2 が0.7〜1.0であり、前記磁性薄膜および非磁性薄膜の膜厚がそれぞれ200A 以下である磁性多層膜。

IPC (4)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/24 ,  G01R 33/06 ,  H01L 43/08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平4-218982
  

Cited by examiner (1)

• 特開平4-218982