Pat

J-GLOBAL ID：200903017569833901

超伝導量子干渉素子

Inventor： 原田 裕一 ,  赤崎 達志
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (2)： 三好 秀和 ,  勝 治人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008064490
Publication number (International publication number)：2009224390
Application date： Mar. 13, 2008
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：

【課題】超高感度な超伝導量子干渉素子を提供する。【解決手段】磁束を捕捉するための領域5を開けた二次元電子ガス3に超伝導体電極1,2を接続することにより、超伝導体-二次元電子ガス-超伝導体接合を超高感度な超伝導量子干渉素子として利用することができる。また、ゲート電極4を備える。これにより、超伝導量子干渉素子の臨界電流値ICや抵抗値RNを可変することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ヘテロ構造体に形成された二次元電子ガス層と、 前記二次元電子ガス層に接続する第1、第2の超伝導電極層と、 前記二次元電子ガス層の中央部分を取り除いた領域と、 を有することを特徴とする超伝導量子干渉素子。

IPC (2)：

H01L 39/22 ,  H01L 29/80

FI (2)：

H01L39/22 D ,  H01L29/80 A

F-Term (12)：

4M113AA04 ,  4M113AA14 ,  4M113AA27 ,  4M113AA37 ,  4M113AC08 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA16 ,  4M113CA17 ,  5F102FA00 ,  5F102FB10 ,  5F102GV02