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J-GLOBAL ID：200903017575457318
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039181
Publication number (International publication number)：1993243577
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、薄膜トランジスタのシリコン薄膜層上に酸素プラズマ処理により形成された酸化膜を配置することにより特性の優れたトランジスタを提供することを目的とする。【構成】 薄膜トランジスタのシリコン膜上に酸素プラズマ処理により形成された酸化膜を配置し、この酸化膜を清浄なMOS界面を得るために、ゲート絶縁膜または高耐圧の層間絶縁膜として用いる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された薄膜トランジスタのシリコン薄膜層上には、酸素プラズマにより形成された酸化膜が配置されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
Cited by examiner (6)
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