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J-GLOBAL ID：200903017576508412

半導体装置

Inventor： 早藤 紀生 ,  鈴木 大輔
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995220806
Publication number (International publication number)：1997064459
Application date： Aug. 29, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ドーパントの熱拡散を抑制した高品質の半導体装置を得る。【解決手段】 InP基板1に設けられて電流が狭窄するための電流狭窄手段を構成しているMQW吸収層7と電流阻止層2、3及び4とが設けられ、また、その電流狭窄手段上に設けられた、BeをドープしたInPクラッド層11と、InPクラッド層11上に設けられ、Zn及びBeをドープしたInGaAsコンタクト層12とを備えた半導体装置である。

Claim (excerpt)：

基板と、上記基板に設けられ、電流が狭窄するための電流狭窄手段と、上記電流狭窄手段上に設けられた、BeをドープしたInPクラッド層と、上記InPクラッド層上に設けられ、Zn及びBeをドープしたInGaAsコンタクト層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。