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J-GLOBAL ID：200903017594183091

基板処埋装置

Inventor： 紺谷 忠司 ,  豊田 一行 ,  佐藤 武敏 ,  加賀谷 徹 ,  嶋 信人 ,  石丸 信雄 ,  境 正憲 ,  奥田 和幸 ,  八木 泰志 ,  渡辺 誠治 ,  国井 泰夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004127686
Publication number (International publication number)：2004228601
Application date： Apr. 23, 2004
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。【解決手段】 反応管6内に、同一開口面積のバッファ室孔3を有するバッファ室17を設け、その内部にガスの上流側より下流側へ向かって開口面積が大きくなるガスノズル孔4を有するガスノズル2を配設し、ガスノズル2より噴出するガスを、一旦バッファ室17内に導入し、ガスの流速の差を均一化した後、バッファ室孔3よりウェーハ7へ供給する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

積層配置された基板を収納する反応室と、 前記反応室に基板の積層配置方向に沿って設けられた、基板処理用のガスを導入するためのガス導入部と、 基板の積層配置方向に沿って設けられた複数のガス供給口を有し、前記ガス導入部から導入される処理用ガスを前記複数のガス供給口から供給するようにしたバッファ室とを備えたことを特徴とする基板処埋装置。

IPC (2)：

H01L21/31 ,  C23C16/455

FI (2)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

F-Term (14)：

4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AA16 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045DP19 ,  5F045EF03