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J-GLOBAL ID：200903017596464659

半導体回路及び半導体回路装置

Inventor： 松本 博次
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995204793
Publication number (International publication number)：1997055470
Application date： Aug. 10, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低電圧で作動させるために閾値電圧を下げたMOSFETの待機時のリーク電流を削減できる半導体回路の提供。【解決手段】 MOSFETを備える半導体回路。MOSFET2,2へソース電位として与えるべき2つの異なる電位をそれぞれ固定する2つの電位固定手段6,Vssと、MOSFET2,2のソースを2つの電位固定手段6,Vssの何れかに切り換え接続するスイッチング手段4,5とを備える構成である。

Claim (excerpt)：

MOSFETを備える半導体回路において、前記MOSFETへソース電位として与えるべき2つの異なる電位をそれぞれ固定する2つの電位固定手段と、前記MOSFETのソースを該2つの電位固定手段の何れかに切り換え接続するスイッチング手段とを備えることを特徴とする半導体回路。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/04 B ,  H01L 27/04 M ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-345901   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭53-015056