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J-GLOBAL ID:200903017602754753
薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992011659
Publication number (International publication number):1993203985
Application date: Jan. 27, 1992
Publication date: Aug. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、薄膜トランジスタ製造工程及び液晶ディスプレイ製造工程における静電気による薄膜トランジスタの破壊を防止する。【構成】 予めゲートバス及びソースバス間を陽極酸化可能な金属で接続し、必要に応じて、陽極酸化して絶縁分離する。
Claim (excerpt):
基板上に少なくともゲートバス配線、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソースバス配線、ソース電極、ドレイン電極及び素子駆動電極をアレイ状に配置した薄膜トランジスタアレイにおいて、ゲートバス配線及びソースバス配線を予め陽極酸化可能な導電層で接続部を形成して同電位にしておくことを、特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
IPC (4):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 27/12
, H01L 29/784
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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特開昭62-058226
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アクテイブマトリクス基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-305039
Applicant:シヤープ株式会社
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