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J-GLOBAL ID：200903017616150907

昇華性アダマンタノールの製造方法

Inventor： 山口 真男 ,  小早川 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998206068
Publication number (International publication number)：2000038362
Application date： Jul. 22, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体用レジスト材料の原料として有用な高純度のアダマンタノ-ルを効率的に得る方法を提供する。【解決手段】 1-アダマンタノ-ル等の昇華性アダマンタノ-ル又は当該昇華性アダマンタノ-ルのアルコキシドを酢酸等のカルボン酸系化合物;酢酸メチル等のエステル系化合物;無水酢酸等の酸無水物系化合物などのアルコ-ル反応性化合物又はクロロぎ酸エチル等のカ-ボナ-ト系化合物;トリメチルシリルクロリド等のシラン系化合物などのアルコキシド反応性化合物と反応させて融解性のアダマンタノ-ル誘導体とした後に、得られた融解性のアダマンタノ-ル誘導体を蒸留精製し、次いで蒸留精製された融解性のアダマンタノ-ル誘導体を加水分解法等により前記昇華性アダマンタノ-ルに変換する。

Claim (excerpt)：

昇華性アダマンタノ-ル又は該昇華性アダマンタノ-ルのアルコキシドをそれぞれアルコ-ル反応性化合物又はアルコキシド反応性化合物と反応させて融解性のアダマンタノ-ル誘導体とした後に、得られた融解性のアダマンタノ-ル誘導体を蒸留精製し、次いで蒸留精製された融解性のアダマンタノ-ル誘導体を前記昇華性アダマンタノ-ルに変換することを特徴とする昇華性アダマンタノ-ルの製造方法。

IPC (7)：

C07C 35/37 ,  C07C 27/02 ,  C07C 29/80 ,  C07C 67/03 ,  C07C 67/08 ,  C07C 67/14 ,  C07C 69/54

FI (7)：

C07C 35/37 ,  C07C 27/02 ,  C07C 29/80 ,  C07C 67/03 ,  C07C 67/08 ,  C07C 67/14 ,  C07C 69/54 B

F-Term (10)：

4H006AA02 ,  4H006AC48 ,  4H006AD11 ,  4H006AD30 ,  4H006FC36 ,  4H006FE12 ,  4H006KA02 ,  4H006KA03 ,  4H006KA06 ,  4H006KE20