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J-GLOBAL ID：200903017636027656

エレクトレット薄層及びその製造方法

Inventor： ヨハネス ハイツ ,  ディーター ボイエルレ ,  ジークフリート バウアー ,  ジモナ バウアー-ゴゴネーア ,  エンノ アレンホルツ ,  ラインハルト シュヴェーディアウアー
Applicant, Patent owner： イノヴァチオーンスアゲントゥーア ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  ヨハネス ハイツ
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000548896
Publication number (International publication number)：2002515643
Application date： May. 12, 1999
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】フッ素含有ポリマーからなる200μm未満の層厚さを有するエレクトレット薄層であって、その際フッ素含有ポリマーからなる固体の出発物質から蒸着、スパッタリング、アブレーション、ブローイング又はディスパージョンにより形成された層内に含有されているポリマー鎖の平均鎖長が出発物質内の鎖長の少なくとも半分でありかつ層内に含有されるポリマー鎖の架橋度が出発物質内の架橋度の最大2倍である;このようなエレクトレット薄層を製造するためには、フッ素含有ポリマーからなる層をパルス化したレーザ堆積により基板に施し、その際使用レーザビームの波長は100nm〜20μmでありかつパルス持続時間は10fs〜1msである。

Claim (excerpt)：

フッ素含有ポリマーからなる200μm未満の層厚さを有するエレクトレット薄層において、フッ素含有ポリマーからなる固体の出発物質から蒸着、スパッタリング、アブレーション、ブローイング又はディスパージョンにより形成された層内に含有されているポリマー鎖の平均鎖長が出発物質内の鎖長の少なくとも半分でありかつ層内に含有されるポリマー鎖の架橋度が出発物質内の架橋度の最大2倍であることを特徴とするエレクトレット薄層。

IPC (7)：

H01G 7/02 ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H04R 19/01 ,  H04R 31/00

FI (6)：

H01G 7/02 F ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/28 ,  H04R 19/01 ,  H04R 31/00 C ,  H01L 27/04 C

F-Term (16)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  5D021CC03 ,  5D021CC20 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20