スパッタターゲット、配線膜および電子部品

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204000
Publication number (International publication number)：2000038659
Application date： Jul. 17, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】例えばAl-Cu配線の (111)配向性を高めることが可能なNbライナー材が望まれており、そのようなNb膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。【解決手段】高純度Nbからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてX線回折法で測定された (310)面のピーク強度値と (200)面のピーク強度値の比が 1±70% 以内である。スパッタターゲットのターゲット面全体における (310)面のピーク強度値と (200)面のピーク強度値の比のバラツキは±30%以内とされている。配線膜はこのようなスパッタターゲットを用いて成膜してなるNb膜を具備し、具体的にはNb膜からなるライナー材とこのライナー材上に存在するAl-Cu膜とを有する。

Claim (excerpt)：

高純度Nbからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてX線回折法で測定された (310)面のピーク強度値と (200)面のピーク強度値の比が 1±70% 以内であることを特徴とするスパッタターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 21/203

FI (3)：

C23C 14/34 A , H01L 21/285 S , H01L 21/203 S

F-Term (19)：

4K029BA02 , 4K029BA03 , 4K029BA23 , 4K029BB02 , 4K029BD02 , 4K029DC03 , 4K029DC22 , 4M104BB04 , 4M104BB37 , 4M104DD40 , 4M104FF17 , 4M104HH01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD28 , 5F103GG10 , 5F103HH03 , 5F103PP11 , 5F103RR07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-067410 Applicant：株式会社東芝
拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282297 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
特開平3-247745

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