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J-GLOBAL ID：200903017646226932

半導体ウエハの加工方法

Inventor： 山岸 利正
Applicant, Patent owner： モダン・プラスチツク工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083719
Publication number (International publication number)：1994302691
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハをバックグラインディング、ダイシングする工程において、粘着テープの粘着剤によるウエハ面の汚染と、該加工に伴なう環境汚染を避けることを目的とする。【構成】 半導体ウエハのバックグラインディング、ダイシング加工用に水溶性フィルムの基材1 および/または水溶性の粘着剤層2 を組み合わせてなる粘着テープをウエハ4 に貼着使用し、工程終了後に水と混和して洗浄することによって基材1 と粘着剤層2 を溶解ないし分散して除去し、ウエハ4 面に残存する汚染物を完全に除くように構成する。

Claim (excerpt)：

粘着テープによって保持して半導体ウェハの表面処理からダイシングするに至る加工工程において、水溶性フィルムおよび/または水溶性粘着剤を組み合わせてなる前記粘着テープをもって前記半導体ウエハの片面を被覆・剥離することにより、バックグラインディング工程および/またはダイシング工程を行なうことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/304 321