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J-GLOBAL ID：200903017652299305

電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法及びシステム

Inventor： 山本 博征
Applicant, Patent owner： 三星電子ジャパン株式会社
Agent (1)： 大塚 康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993116158
Publication number (International publication number)：1994332795
Application date： May. 18, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電気的消去可能な不揮発性メモリの偏った書換をなくして劣化を防ぐと共に、予備電源装置や電圧監視装置等の付加をなくして、完全にFAT,論理アドレスあるいは書換あるいは消去回数の保存を保証できるメモリの制御方法及びそのシステムを提供する。【構成】 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法であって、前記不揮発性メモリ(10)を消去単位に複数のブロックに分けて、各ブロックを管理する情報を記憶する領域(13)を同じブロック内に設ける。電気的消去可能な不揮発性メモリを含むシステムにおいて、前記不揮発性メモリ(10)の消去単位に分割された各ブロック内にあって、該ブロックを管理する管理情報を記憶する記憶領域(13)と、システム起動時に、前記各ブロックに各々設けられた前記記憶領域内の情報を読み込み、前記不揮発性メモリを管理するシステムの管理情報を作成する管理情報作成手段(S31,S32)と、作成された前記管理情報を記憶する揮発性メモリ(20)とを備える。

Claim (excerpt)：

電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法であって、前記不揮発性メモリを消去単位に複数のブロックに分けて、各ブロックを管理する情報を記憶する領域を同じブロック内に設けることを特徴とする制御方法。

IPC (2)：

G06F 12/06 515 ,  G11C 16/06