Pat

J-GLOBAL ID：200903017657036477

半導体装置

Inventor： 長坂 光明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006328230
Publication number (International publication number)：2008141115
Application date： Dec. 05, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】実装基板に実装した後でもノイズを適切に削減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】電源線VDDとグランド線GNDとの間にパスコンとして機能する可変容量ダイオード11を接続する。可変電圧部12は、外部からの設定または内部の状態(検出されるノイズ量やロジック回路14の動作周波数など)に応じて可変容量ダイオード11に印加する電圧を可変することにより、半導体装置10を実装基板に実装した後でも、可変容量ダイオード11の容量値をノイズに適した値に設定できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電源線とグランド線との間に接続され、バイパスコンデンサとして機能する可変容量素子と、 外部からの設定または内部の状態に応じて前記可変容量素子に印加する電圧を可変する可変電圧部と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 25/00

FI (1)：

H01L25/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 高周波フィルター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-314487   Applicant：松下電器産業株式会社