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J-GLOBAL ID：200903017671177865

電気的消去可能型相転移メモリ

Inventor： スタンフオード・アール・オブシンスキー ,  ステイーブン・ジエイ・ハジエンス ,  ウオロデイミー・ズーバテイー ,  デイビツド・エイ・ストランド ,  ガイ・シー・ウイツカー
Applicant, Patent owner： エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
Agent (1)： 川口 義雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006940
Publication number (International publication number)：1993021740
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 安定し且つ真に不揮発性の構造状態を有する固体消去可能な電子メモリを提供する。【構成】 P-ドープされた分離チャネル16とSiO2の層20,39で分離されたアイランドにPNダイオード26とモリブデン電気接点層32,40と炭素電気接点層34,38とメモリ層36で構成されるメモリ素子30がxアドレス線42とyアドレス線12で接続されたマトリックス構造体を形成する。このメモリの書き込み-消去はメモリ層36を電気的に結晶質状態-非晶質状態に変換することで実行する。

Claim (excerpt)：

電気的消去可能型相転移メモリであって、(a)少なくとも2つの電気的に検出可能な状態の間で可逆的に電気的に切換られることが可能であり、且つ前記少なくとも2つの検出可能な状態の第1の状態が前記少なくとも2つの検出可能な状態の第2の状態の局所的原子規則性よりも検出上で劣る局所的原子規則性を有する、相転移材料の少なくとも1つの凹部と、(b)前記凹部の少なくとも2つの部分と接点との間に前記凹部を通る電気経路を形成するために、前記凹部の少なくとも2つの部分との電気接触を生じさせる電気接点手段と、(c)前記第1の検出可能な状態が前記第2の検出可能な状態よりもより低い電気伝導性によって特徴付けられる前記少なくとも2つの検出可能な状態の間で、前記凹部内の前記電気経路内の前記相転移材料の少なくとも1つの体積部分に可逆的切換えを引き起こすために、前記電気接点手段に電気信号を印加するための手段と、(d)前記第1の検出可能な状態において複数の成分が前記相転移材料内に分布させられ、且つ前記第1の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の構成成分分布の平均局所密度を伴って、前記複数の成分が前記体積部分内で前記第2の検出可能な状態に変換されるように、組成的且つ化学量論的に配置された前記複数の成分を含む前記相転移材料とを含む電気的消去可能型相転移メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/10 431 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792