Pat
J-GLOBAL ID:200903017671463264

電子素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 逢坂 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002335879
Publication number (International publication number):2004171903
Application date: Nov. 20, 2002
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】従来の炭素分子からなる電子素子の欠点を克服して、それを上回る性能を有する超小型の電子素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】内側の金属性カーボンナノチューブ層2が外側の半導体性カーボンナノチューブ層1で部分的に覆われた多層カーボンナノチューブ10を用い、金属からなるソース電極3及びドレイン電極5を半導体性カーボンナノチューブ1の両端に接触させ、金属からなるゲート電極4を金属性カーボンナノチューブ2に接触させ、半導体性カーボンナノチューブ層1と金属性カーボンナノチューブ層2との間の空間をゲート絶縁層として、絶縁ゲート型電界効果トタンジスタを構成する。多層カーボンナノチューブ10は、多層カーボンナノチューブの各カーボンナノチューブ層から、外側に半導体性カーボンナノチューブ層1があり、内側に金属性カーボンナノチューブ層2がある2層を選択し、目的に適した形に成形して、利用する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
第1の筒状炭素分子と、 前記第1の筒状炭素分子とほぼ平行に配置され、前記第1の筒状炭素分子の一部を被覆し、半導体性を有する第2の筒状炭素分子と、 前記第1の筒状炭素分子に電圧を印加する電圧印加手段と、 前記第2の筒状炭素分子に電流を入力する電流入力手段と、 前記第2の筒状炭素分子から電流を出力する電流出力手段と を有する電子素子。
IPC (2):
H01J1/304 ,  H01J9/02
FI (2):
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
F-Term (17):
5C127AA20 ,  5C127BA06 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD70 ,  5C127DD76 ,  5C127DD99 ,  5C127EE02 ,  5C127EE03 ,  5C135AA06 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AC02 ,  5C135FF07 ,  5C135HH02 ,  5C135HH03

Return to Previous Page