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J-GLOBAL ID：200903017676568862

半導体レーザダイオード

Inventor： ヲン・ジン・チェ
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239988
Publication number (International publication number)：1997107152
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、より低いしきい値電流値を有する635nm帯レーザダイオドを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体レーザダイオドは、第1導電型基板上に順次に形成された第1導電型クラッド層と、第1光ガイド層と、SCLと、ひずみの加えられた活性層と、SCLと、第2光ガイド層と、及び第2導電型クラッド層と、を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型基板上に、第1導電型クラッド層と、第1光ガイド層と、SCLと、ひずみの加えられた活性層と、SCLと、第2光ガイド層と、第2導電型クラッド層と、を順次に形成させてあることを特徴とする半導体レーザダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-256718   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-166785