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J-GLOBAL ID：200903017688511912

薄膜トランジスタ

Inventor：
腰塚 靖雄

About 腰塚 靖雄


Applicant, Patent owner：
カシオ計算機株式会社

About カシオ計算機株式会社


Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187398
Publication number (International publication number)：2001015761
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧VDを上げても、VG(ゲート電圧)-ID(ドレイン電流)特性が劣化しないようにする。【解決手段】 ドレイン電極7及びソース電極8の各歯部7a、8aの先端部とこれに対向するソース電極8及びドレイン電極7の各連結部8b、7bとの間隔T1はドレイン電極7の歯部7aとソース電極8の歯部8aとの間隔T2(チャネル長)よりも大きくなっている。これにより、ドレイン電極7及びソース電極8の各歯部7a、8aの先端部とこれに対向するソース電極8及びドレイン電極7の各連結部8b、7bとの間に生じる電界集中を緩和することができる。この結果、ドレイン電圧VDを例えば40Vと上げても、VG-ID特性が劣化しないようにすることができる。
Claim (excerpt)：
複数の歯部とこれらの歯部を連結する連結部とを有して櫛歯状に形成されたドレイン電極とソース電極とが互いに食い込むように設けられた薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソース電極のうち一方の電極の各歯部の先端部とこれに対向する他方の電極の連結部との間隔が前記ドレイン電極の歯部と前記ソース電極の歯部との間隔よりも大きくなっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/41
FI (2)：
H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/44 F
F-Term (8)：
4M104AA01 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  5F110AA13 ,  5F110CC01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-214070   Applicant：三洋電機株式会社
  • 特開平3-245126

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