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J-GLOBAL ID：200903017693424599

半導体発光装置

Inventor： 浅野 英樹 ,  福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046837
Publication number (International publication number)：1996250811
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高出力動作時も単一横モード発振可能で、かつ製造容易な半導体発光装置を得る。【構成】 発光領域Aが第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、横モード制御用の第2光ガイド層5、第2クラッド層4,7およびコンタクト層8がこの順に積層されてなり、埋め込み領域Bである電流阻止部が第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、第1電流ブロック層6、第2クラッド層7およびコンタクト層8がこの順に積層されてなり(第1、第2はそれぞれ、n型とp型の一方と他方を示す)、上記第2クラッド層4がInGaPクラッド層である埋め込み構造型の半導体発光装置において、光ガイド層5を、屈折率がInGaPクラッド層4よりも大きくて、GaAsよりも小さいInGaAsPから形成する。

Claim (excerpt)：

発光領域が第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、横モード制御用の第2光ガイド層、第2クラッド層およびコンタクト層がこの順に積層されてなり、埋め込み領域である電流阻止部が第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、第1電流ブロック層、第2クラッド層およびコンタクト層がこの順に積層されてなり(ただし第1、第2はそれぞれ、n型とp型の一方と他方を示す)、前記第2クラッド層がInGaPクラッド層である埋め込み構造型の半導体発光装置において、前記第2光ガイド層が、屈折率が前記InGaPクラッド層よりも大きくて、GaAsよりも小さいInGaAsPから形成されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 歪量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070599   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社