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J-GLOBAL ID：200903017698138160
単結晶製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299797
Publication number (International publication number)：1995165487
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】引上げ中、単結晶の引上げ方向に適切に温度勾配を調整し、OSFの発生が少なく、酸化膜耐圧特性に優れた単結晶の引上げ成長を可能とする製造装置を提供する。【構成】成長させるべき単結晶の溶融液6を収容する坩堝1と、溶融液を加熱する手段2と、坩堝内の溶融液6の表面に種結晶4を接触させて単結晶5を成長させる引上げ手段と、引上げ単結晶を囲撓する保護ガス導入管9と、前記各部材を収納する金属チャンバー7とを具備する単結晶製造装置において、坩堝内の溶融液6の上方には、単結晶の引上げ域の周囲に配設された円筒または上方から下方に向かうに従って縮径された筒状の耐熱断熱性部材10があり、この部材は前記保護ガス導入管9の下方に取り付けられていることを特徴とする単結晶製造装置。部材10は黒鉛製であつて、その表面が炭化珪素でコーティングされているのが望ましい。【効果】構造が簡単で取扱が容易であり、生産性を低下させることなく、単結晶基板のOSF欠陥の防止および酸化膜耐圧特性の向上が可能となる。
Claim (excerpt)：
成長させるべき単結晶の溶融液を収容する坩堝と、溶融液を加熱する手段と、坩堝内の溶融液の表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、引上げ単結晶を囲撓する保護ガス導入管と、前記各部材を収納する金属チャンバーとを具備する単結晶製造装置において、坩堝内の溶融液の上方には、単結晶の引上げ域の周囲に配設された円筒状または上方から下方に向かうに従って縮径された筒状の耐熱断熱性部材があり、この部材は前記保護ガス導入管の下方に取り付けられていることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (4)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
