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J-GLOBAL ID：200903017698760058

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 浅川 勉
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (4)： 柳瀬 睦肇 ,  鈴木 直郁 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002173585
Publication number (International publication number)：2004022689
Application date： Jun. 14, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】ゲート絶縁膜の劣化の懸念なく、信頼性ある低抵抗のメタルゲートトランジスタを実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型(P型またはN型)の半導体層11のチャネル領域12上にゲート絶縁膜13及びこのゲート絶縁膜13上に金属部材、窒化タンタル層141、体心立方格子相のタンタル層142、窒化タンタル層143の積層を含むゲート電極14が構成されている。ゲート電極14の側部には耐酸化性膜16の被覆を介して側壁絶縁膜17が設けられている。耐酸化性膜16は例えば窒化シリコン膜であり、ゲート電極14の実質部材であるタンタル層142の側部からの酸化を防止するために設けられる。上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜17の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層15上にシリサイド層18が設けられている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜及びこのゲート絶縁膜上に金属部材で構成されるゲート電極と、 前記半導体層に前記チャネル領域を隔てて設けられた第2導電型の不純物拡散層と、 前記ゲート電極の側部に耐酸化性膜の被覆を介して設けられた側壁絶縁膜と、 前記ゲート電極及び側壁絶縁膜を隔てて前記不純物拡散層上に設けられたソース/ドレインの各コンタクト部と、 を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (6)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617L

F-Term (58)：

4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104CC05 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110AA14 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF26 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF21 ,  5F140BF30 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BG49 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34