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J-GLOBAL ID：200903017706099153
ドライエツチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991292117
Publication number (International publication number)：1993036644
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ドライエッチングの終点を正確に検出すること。【構成】 真空チャンバ1内に反応ガスであるCHF3ガス及びCF4ガスと、プラズマ安定化用のArガスとを導入し、電極2、3間に電力を供給してプラズマを発生させ、SiO2膜のエッチングを行う。このときエッチングに関与するCF2ラジカルの発光波長の光を分光器5により取り出し、その発光強度を判定部7で監視する。エッチング中はCF2ラジカルがSiO2との反応に用いられているが、SiO2膜が除去させると、その反応には関与しなくなるのでCF2ラジカルの発光強度が増加する。従ってこの発光強度の増加を判定部7で捉えてエッチングの終点と判定する。
Claim (excerpt)：
反応容器内に導入されるガスの中に、エッチングによる反応生成物のスペクトルと重なるスペクトルを持つガスが含まれるドライエッチング方法において、エッチングに関与する活性種の発光強度を監視し、その監視結果に基づいてエッチングの終点を検出することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (5)：
H01L 21/302
, C23C 16/52
, C23F 4/00
, H05H 1/00
, H05H 1/46
