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J-GLOBAL ID：200903017717390640

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 伏見 浩 ,  和田 一実
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995082373
Publication number (International publication number)：1996279464
Application date： Apr. 07, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低電圧側での電流リークの経時変化にともなう増大を抑制することを目的とする。【構成】 コレクタ層としてのn形化合物半導体結晶層と、炭素をp形不純物として導入したベース層としてのp形化合物半導体結晶層と、エミッタ層としてのn形化合物半導体結晶層とが、それぞれエピタキシャル成長法によって形成され、各化合物半導体結晶層においては、測定限界(5×1018cm-3)以下の水素原子しか有していない。このように、水素の含有量が測定限界以下となっている状態(b)では、動作時間Tの後においても、リーク電流は増加していない。

Claim (excerpt)：

結晶成長により形成され、水素が除去されたn形化合物半導体結晶層と、前記n形化合物半導体結晶層に連接して形成された炭素をp形不純物として導入しているp形化合物半導体結晶層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72