Pat

J-GLOBAL ID：200903017722099830

絶縁膜の形成方法

Inventor： 奈良 明子 ,  伊藤 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996068817
Publication number (International publication number)：1997260369
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】安定性の低下を招かずに低誘電率化を図れる絶縁膜の形成方法を提供すること。【解決手段】O2 、TEOSの成膜材料に加えて、膜中の炭素濃度を高めるたの物質としてCOを用いてCVD法により、酸素、炭素、シリコン、水素を含む絶縁膜3を形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも酸素を含む第1の物質および有機シランを成膜材料に用い、これら成膜材料の反応により、酸素、炭素、シリコンおよび水素を含む絶縁膜を形成する際に、前記成膜材料に少なくとも炭素を含む第2の物質を加えて、前記成膜材料を用いた場合よりも炭素濃度の高い絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/95