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J-GLOBAL ID：200903017724619202

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 碓井 薫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995038689
Publication number (International publication number)：1996236504
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ウエハの設置間隔を狭くしてもプラズマ処理速度が低下し難い半導体製造装置を提供する。【構成】 内部空間を有する処理容器と、前記内部空間を、プラズマを発生するためのプラズマ発生空間と処理対象物を配置してプラズマ処理するための処理空間とに仕切り、該2つの空間の間で相互にガスが輸送されるようにガス透過孔が形成されている仕切り手段と、前記内部空間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に向かって噴き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガスを排気するためのガス排気手段とを有する。

Claim (excerpt)：

内部空間を有する処理容器と、前記内部空間を、プラズマを発生するためのプラズマ発生空間と処理対象物を配置してプラズマ処理するための処理空間とに仕切り、該2つの空間の間で相互にガスが輸送されるようにガス透過孔が形成されている仕切り手段と、前記内部空間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に向かって噴き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガスを排気するためのガス排気手段とを有する半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L